Пошуковий запит: (<.>A=Баранський П$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 47
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Баранський П. І. Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу. — Луцьк: Надстир'я, 2000
|
| 2. |
Бабич В. М. Роль термодонорів в кристалах Si з підвищеним вмістом домішки кисню у формуванні їх електрофізичних властивостей. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 3. |
Баранський П. І. Неоднорідності напівпровідників і актуальні задачі міждефектної взаємодії в радіаційній фізиці і нанотехнології : Мононгр. — К.; Луцьк, 2006
|
| 4. |
Баранський П. І. Академік Вадим Євгенович Лашкарьов - засновник Української школи з фізики і техніки напівпровідників (до 100-річчя з дня народження академіка АН УРСР В. Є. Лашкарьова 7.10.1903 - 1.12.1974 рр.). — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 5. |
Баранський П. І. Мікрогравітація і надвисокий вакуум - специфічні компоненти технологічного середовища і нові можливості напівпровідникової технології. — 2002 // Косм. наука і технологія.
|
| 6. |
Баранський П. І. Напівпровідникове матеріалознавство: досягнення, принципові і технологічні проблеми, перспективи. — 2003 // Термоелектрика.
|
| 7. |
Баранський П. І. Особливості електронного транспорту в квантово-розмірних структурах. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 8. |
Баранський П. І. Проблеми, пов'язані з довготривалим перебуванням космічних кораблів з астронавтами на борту в міжпланетному просторі (Довготривалі космічні подорожі: погляд у майбутнє). — 2002 // Косм. наука і технологія.
|
| 9. |
Баранський П. І. Мікроаналіз внутрішньої структури квантових точок у зв'язку з оцінками Z термоелектроперетворювачів, створюваних на основі тривимірних надграток. — 2004 // Термоелектрика.
|
| 10. |
Баранський П. І. Електрично малоактивні домішки і проблема надвисокої чистоти напівпровідникових матеріалів Si і Ge: (Огляд). — 2005 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 11. |
Асніс Ю. А. Проблеми, пов'язані з отриманням надчистих від легуючих і залишкових домішок кристалів Si за умов мікрогравітації. — 2005 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 12. |
Баранський П. І. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур. — 2005 // Наук. зап. НаУКМА. Сер. Фіз.-мат. науки.
|
| 13. |
Баранський П. І. На шляху від міфів до реалій в освоєнні високоефективних термоелектроперетворювачів, створюваних на основі використання досягнень нанофізики і нанотехнологій. — 2007 // Термоелектрика.
|
| 14. |
Асніс Ю. А. Дослідження внутрішніх механічних напружень в кристалах Si, вирощених методою безтигельного зонного топлення. — 2008 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 15. |
Баранський П. І. Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів. — 2009 // Термоелектрика.
|
| 16. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук. — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 17. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук. — 2010 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 18. |
Баранський П. І. Деякі термоелектричні особливості звичайних і трансмутаційно легованих кристалів кремнію. — 2012 // Термоелектрика.
|
| 19. |
Асніс Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. — 2011 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 20. |
Баранський П. І. Анізотропія термоерс захоплення електронів фононами в n-Ge. — 2012 // Термоелектрика.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
